Microwave Technology Уводзіны

- MicroWave Technology, Inc. з'яўляецца вядучым вытворцам РФ & амп; мікрахвалевыя дыскрэтныя паўправадніковыя прадукты, GaAs і GaN ўзмацняльнікі магутнасці ВЧ, нізкі ўзровень шуму PHEMT прылада, MMICs, бесправадныя ўзмацняльнікі, гібрыдныя модулі і коннекторы мікрахвалевых ўзмацняльнікі.
Размешчаная ў Сіліконавай даліне ў Каліфорніі, мікрахвалеўка Technology, Inc. (МВт) была заснавана ў 1982 годзе тэхнічнымі дырэктарамі з вялікім вопытам работы ў галій арсенід (GaAs) канструкцыі прылады і вырабу. З завода, які займае 35000 квадратных футаў, асноўныя актывы кампаніі ўключаюць у сябе як яго GaAs, паўправадніковы Fab і гібрыдныя мікрасхемы і драты мікрахвалевай інтэгральнай схемы (HMIC) вытворчасці аб'екта. Вертыкальнае выраб і трываласць прадукту забяспечваюць MWT незвычайнай гнуткасць і магчымасць у ЗВЧ-кампанентах на рынку.
MWT з'яўляецца вядучым на аснове ЗША гандляра вытворцам дыскрэтных арсенід Галіі дыёдаў і транзістараў (палявыя транзістары, pHEMTs і дыёды Ганны). Раннія працы ўпор на надзейнасці прылады ў выніку ўласных сістэм металізацыі, якія робяць прыладу МВт у непранікальную да забруджвання вадароду, цяпер пункт вялікай цікавасці для высокай надзейнасці прамысловасці. Гэтыя прылады выкарыстоўваюць уласны эпідэ матэрыял і чвэрць мікрона ўбудавальныя тэхпрацэсу варот, якія прыводзяць да высокай лінейнай (+48 дБм IP3 ў 1 Вт P-1 дб Бесправадны ўзмацняльнік) і нізкі фазавы шум (-125 дб @ 100 кГц Зрушэнне ў 17,5 Ггц ГДИ) прылада з выхадны магутнасцю ў дыяпазоне ад 10 мВт да 5 Вт. Гэтыя прылады, якія прадаюцца як чыпсы ці ва ўпакоўках, фі-е шырокага выкарыстанне ў усиливалси катыёну сігналаў ад 10 Мгц да 40 Ггц пры перадачы або прыёме інфармацыі ў бесправадных сістэмах інфраструктуры, РЧ прамысловых ужываннях, а таксама ў рознай абароннай і касмічнай электроніцы.
Карыстаючыся нізкім узроўнем скажэнняў интермодуляционных характарыстык GaAs палявых транзістараў МВт-х гадах, кампанія карыстаецца расце рэпутацыяй сваёй прадуктовай лінейкі малога ўнутрана ўзгодненай модульнай павярхоўнага мантажу перадачы і прыёму узмацняўся Е.Р. модуляў, накіраваных на некалькіх апорных і / або з лічбавай мадуляцыяй (высокая лінейнасць ) бесправадная інфраструктура і сістэмы ваеннай сувязі. Асноўныя прыкладання з'яўляюцца пярэднімі канцамі прымача і ў якасці кіроўцы або вываду пикоячейки Узмацняльнікі ў сотавых, PCS і базавай станцыі БМЛ і ваеннай сувязі высокай надзейнасці. Цікавыя новыя прадукты маюць надзвычай нізкія ўваходныя і выходныя зваротныя страты, якая забяспечвае лёгкасць ўстаўкі ўзмацнення ў моцна крытычных высокай лінейнасці магутнасці узмацнялася эр каскадаў. ПТБС прапануе свой высоканадзейных правераную тонкую плёнку магчымасць апрацоўкі контуру як для выкарыстання ўнутранага і вонкавага кліентам. Выкарыстанне тонкай плёнкі будаўніцтва гібрыднай мікрасхемы, ПТБС вырабляе і прадае розныя стандартныя модульныя ўзмацняліся Е.Р. прадуктаў да 26 Ггц. Гэтыя модулі таксама будуюць элементы МВт для праектавання і стандартаў вырабу, а таксама прыстасаваныя канектарам Узмацняльнікі для абаронных і тэлекамунікацыйных прыкладанняў.
ПТБС мае шматгадовы вопыт стварэння спецыялізаваных канструкцый для кліентаў і мае шырокую бібліятэку карыстацкіх канструкцый на аснове ПТБСА ​​прылад. ПТБС выкарыстоўвае як стандартныя, так і прыстасаваныя версіі сваіх частак для атрымання спецыялізаваных Узмацняльнікі і прадукцыі на ўзроўні платы. Наш даказаны вопыт і паслужны спіс можа дапамагчы вам зэканоміць кошт праектавання, час і інжынерныя рэсурсы. Прыклады ўключаюць нізкачашчынную МШУ, LNA бесправаднога ўзмацняльніка узмацняўся эр, інтэграваныя будаўнічыя блокі, высокачашчынныя генератары, ацэначныя платы і тэст фі xtures.